中美晶片戰持續升溫，不只7奈米以下的先進製程，美國對中制裁有朝向成熟製程蔓延的趨勢。根據外媒報導，美國商務部可能取消台積電、三星、SK海力士等半導體巨頭在中國使用美國技術的豁免，這將導致外資企業在中國營運受到阻礙，反而助長中系業者轉單給本土半導體供應鏈。
台經院產經資料庫總監劉佩真表示，未來一旦豁免權遭到撤銷，預計南韓兩大半導體廠所受到的影響將遠大於台積電，畢竟相較於台積電產能多以台灣為生產重鎮，海外廠未來將以美國為主，南韓兩大廠過去於中國的產能布局比重並不低，因而受到美方政策的影響性大。
以台積電來說，公司早期雖有在中國設有晶圓廠，例如南京的12吋晶圓廠 （Fab16）和上海松江區的Fab10，但台積電在中國的佈局主要專注於成熟製程，以避免受到美國出口管制的限制，且最後一次對中國南京廠增資是在2011年。
劉佩真表示，之後台積電海外廠布局則相對轉往日本、美國、德國。由於台積電中國佔公司整體合併營收比重相對較小，且短期內絕無升級或擴產計畫的可能性，因此若美國擬取消豁免權的影響相對較小。
在晶圓製造方面，若台積電受到美國管制而在中國營運受阻，先前美國已經針對封測業者開出白名單，將中國本土業者隔絕，在中國已經確立要繼續朝半導體自主的方向前進下，對中國晶圓製造業者來說反而是加速本土16/14奈米製程技術研發的好機會。
而在南韓兩大半導體廠，Samsung和SK Hynix在中國設有大型記憶體生產基地，例如前者在西安的NAND Flash廠，以及SK Hynix在無錫的DRAM廠。這些工廠對於兩家公司在全球記憶體供應鏈中扮演關鍵角色。然而美國對中國半導體產業的出口限制，也對這些在中國營運的韓國公司產生影響，可能導致其取得美國技術的豁免權被取消，豁免權取消意味著這些公司在中國的晶圓廠，未來若要從美國供應商取得半導體製造設備、軟體或相關技術，必須逐案申請許可，這將大幅增加營運的複雜性與不確定性，恐導致Samsung和SK Hynix 在中國擴產與升級受阻、生產效率降低、成本上升，對於兩大廠的營運績效恐造成影響。
畢竟目前記憶體市場確實面臨中國業者崛起的壓力，例如長江存儲在NAND產品方面已開發出約300層堆疊的技術，而長鑫存儲也正在開發HBM3，預計未來將與Samsung和SK Hynix、Micron競爭。